5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 60 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY64UD16162B-DF60I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162B-DF60IP | HYNIX |
获取价格 |
DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PBGA48 |
|
| HY64UD16162B-DF70E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162B-DF70I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162B-DF70IP | HYNIX |
获取价格 |
Memory IC, 1MX16, CMOS, PBGA48 |
|
| HY64UD16162B-DFP70E | HYNIX |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, LEAD FREE, FBGA-48 |
|
| HY64UD16162B-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162B-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162M | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
|
| HY64UD16162M-DF70C | ETC |
获取价格 |
PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
