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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存宽度： | 16 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.000002 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY64UD16322A-E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-DF70E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-DF70I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-DF85E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-DF85I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322M-I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY65R201B | HUAYI |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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