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HY64UD16162B-DF70E

更新时间: 2024-11-11 03:02:27
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海力士 - HYNIX 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 286K
描述
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM

HY64UD16162B-DF70E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.85
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:8 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最大待机电流:0.00001 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6 mm

HY64UD16162B-DF70E 数据手册

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HY64UD16162B Series  
Document Title  
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM  
Revision history  
Revision No. History  
Draft Date Remark  
1.0  
Initial  
Dec. 3. ’02  
Preliminary  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not  
assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Revision 1.0 / December. 2002  
1

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Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, LEAD FREE, FBGA-48
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