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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | PSEUDO STATIC RAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY64UD16162B-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162B-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-DF70C | ETC |
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PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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| HY64UD16162M-DF70E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-DF70I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-DF85C | ETC |
获取价格 |
PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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| HY64UD16162M-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-DF85I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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