生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 2MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.000002 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY64UD16322A-DF70I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322A-E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322A-I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-DF70E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-DF70I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-DF85E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-DF85I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-E | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16322M-I | HYNIX |
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2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |