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HY64UD16322A-E

更新时间： 2024-09-24 22:16:55

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	268K
描述
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM

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HY64UD16322A-E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-XBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

HY64UD16322A Series

Document Title

2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM

Revision history

Revision No. History

Draft Date Remark

1.0

Initial

Jan. 03. ’03

Preliminary

1.1

Change process code

-B

May. 13. ’03

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not

assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Revision 1.1

May. 2003

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY64UD16322A-I	HYNIX	获取价格	2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
HY64UD16322M	HYNIX	获取价格	2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
HY64UD16322M-DF70E	HYNIX	获取价格	2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
HY64UD16322M-DF70I	HYNIX	获取价格	2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
HY64UD16322M-DF85E	HYNIX	获取价格	2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
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