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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 最大待机电流： | 0.000002 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY64UD16162M-DF85C | ETC |
获取价格 |
PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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| HY64UD16162M-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-DF85I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16162M-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A | HYNIX |
获取价格 |
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-DF70E | HYNIX |
获取价格 |
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-DF70I | HYNIX |
获取价格 |
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-E | HYNIX |
获取价格 |
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-I | HYNIX |
获取价格 |
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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