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HUF75637P3

更新时间： 2024-11-13 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 202K
描述
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75637P3 数据手册

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HUF75637P3, HUF75637S3S  
Data Sheet  
December 2001  
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
Features  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.030Ω, VGS = 10V  
GATE  
DS(ON)  
GATE  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF75637P3  
HUF75637S3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF75637P3  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75637P  
75637S  
G
HUF75637S3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75637S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75637P3, HUF75637S3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
44  
31  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
155  
1.03  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTE:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75637P3, HUF75637S3S Rev. B  
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HUF75637P3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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