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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 44 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75637P3T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB |
|
| HUF75637S3S | FAIRCHILD |
获取价格 |
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
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| HUF75637S3S | ROCHESTER |
获取价格 |
44A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| HUF75637S3S | INTERSIL |
获取价格 |
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
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| HUF75637S3ST | ROCHESTER |
获取价格 |
44A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| HUF75639G3 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET Power MOSFET，100V，56 A，25 mΩ |
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| HUF75639G3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639G3 | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639G3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HUF75639P3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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