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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75631P3_NL
HUF75631P3_NL PDF预览

HUF75631P3_NL

更新时间： 2024-11-14 13:08:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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HUF75631P3_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A
最大漏极电流 (ID)：33 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75631P3_NL 数据手册

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HUF75631P3, HUF75631S3ST  
Data Sheet  
December 2001  
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFETs  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
Features  
DRAIN  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
(FLANGE)  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
= 0.040Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
GATE  
• Simulation Models  
SOURCE  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF75631P3  
HUF75631S3ST  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75631P  
75631S  
HUF75631P3  
G
HUF75631S3ST  
NOTE: When ordering, use the entire part number, e.g.,  
HUF75631S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75631P3  
HUF75631S3ST  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
33  
23  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
120  
0.80  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTE:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75631P3, HUF75631S3ST Rev. B  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75631S3S ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-263AB
HUF75631S3ST FAIRCHILD

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 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75631S3ST ONSEMI

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 		100 V、33 A、40 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
HUF75631SK8 INTERSIL

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 		5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631SK8 FAIRCHILD

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 		5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631SK8T ROCHESTER

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 		5.5A, 100V, 0.039ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
HUF75631SK8T_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
HUF75631SK8T_NL ROCHESTER

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 		5.5A, 100V, 0.039ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
HUF75637P3 FAIRCHILD

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 		44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75637P3 INTERSIL

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 		44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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