HN7G01FU

更新时间： 2024-09-12 21:55:43

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描述
TOSHIBA Multi Chip Discrete Device

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HN7G01FU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	US6, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FET
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HN7G01FU 数据手册

HN7G01FU

TOSHIBA Multi Chip Discrete Device

Preliminary

HN7G01FU

Power Management Switch Application

Driver Circuit Application

Unit: mm

Interface Circuit Application

Q1 (transistor): 2SA1955 equivalent

Q2 (MOS-FET): 2SK1830 equivalent

Q1 (transistor) Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

-15

-12

-5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-400

-50

Base current

Q2 (MOS-FET) Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEDEC

JEITA

―

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

Weight: 6.8 mg (typ.)

Gate-source voltage

Drain current

GSS

Q1, Q2 Common Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Power dissipation

Symbol

Rating

200

Unit

(Note 1)

Junction temperature

125

°C

Storage temperature range

-55~150

stg

Note 1: Total rating

Marking

Pin Assignment (top view)

2003-03-27

12 3 4 5

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