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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> HN7G10FE-B
HN7G10FE-B PDF预览

HN7G10FE-B

更新时间： 2024-09-15 13:08:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 499K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2J1A, ES6, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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HN7G10FE-B 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：0.05 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HN7G10FE-B 数据手册

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HN7G10FE  
TOSHIBA Multichip Discrete Device  
HN7G10FE  
Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
Driver Circuit Applications  
Interface Circuit Applications  
•
•
Q1 (transistor): 2SC5376F equivalent  
Q2 (MOSFET): SSM3K03FE equivalent  
Q1 (transistor) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
15  
12  
5
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
1. EMITTER  
2. BASE  
3. DRAIN  
4. SOURCE  
5. GATE  
V
I
400  
50  
mA  
mA  
C
Base current  
I
B
6. COLLECTOR  
Q2 (MOSFET) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
―
―
V
20  
10  
50  
V
V
JEITA  
DS  
Gate-source voltage  
Drain current  
V
GSS  
TOSHIBA  
2-2J1A  
I
mA  
D
Weight: 0.003 g (typ.)  
Q1, Q2 Common Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Power dissipation  
Symbol  
(Note 1)  
Rating  
Unit  
P
100  
150  
mW  
°C  
C
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
Type Name  
FE Rank  
6
5
4
h
78A  
Q2  
Q1  
1
2
3
1
2007-11-01  
1234567

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