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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> HN7G08FE
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HN7G08FE

更新时间： 2024-09-15 03:42:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 运算放大器
页数 文件大小 规格书
6页 226K
描述
General-Purpose Amplifier Applications

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HN7G08FE 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.76其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

HN7G08FE 数据手册

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HN7G08FE  
TOSHIBA Multichip Discrete Device  
HN7G08FE  
Unit: mm  
General-Purpose Amplifier Applications  
Switching and Muting Switch Applications  
Q1  
Low saturation voltage: V  
(1) = −15 mV (typ.)  
CE (sat)  
@I = −10 mA/I = −0.5 mA  
C
B
Large collector current: I = −400 mA (max)  
C
Q1: 2SA1955F  
Q2: RN1106F  
(E1)  
1. EMITTER1  
2. BASE1  
3. COLLECTOR2  
4. EMITTER2  
5. BASE2  
(B1)  
(C2)  
(E2)  
(B2)  
(C1)  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
6. COLLECTOR1  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−15  
−12  
−5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
JEDEC  
―
V
JEITA  
I
−400  
−50  
mA  
mA  
―
C
Base current  
I
B
TOSHIBA  
2-2J1E  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
50  
50  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
100  
mA  
C
Q1, Q2 Common Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
P *  
Rating  
Unit  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
100  
150  
mW  
°C  
C
T
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* Total rating.  
1
2007-11-01  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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