5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HN7G10FE-A
HN7G10FE-A PDF预览

HN7G10FE-A

更新时间： 2024-11-01 21:15:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 287K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2J1A, ES6, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

HN7G10FE-A 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：0.05 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HN7G10FE-A 数据手册

 浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HN7G10FE-A的Datasheet PDF文件第7页 
HN7G10FE  
TOSHIBA Multichip Discrete Device  
HN7G10FE  
Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
Driver Circuit Applications  
Interface Circuit Applications  
•
•
Q1 (transistor): 2SC5376F equivalent  
Q2 (MOSFET): SSM3K03FE equivalent  
Q1 (transistor) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
15  
12  
5
V
V
1. EMITTER  
2. BASE  
3. DRAIN  
4. SOURCE  
5. GATE  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
400  
50  
mA  
mA  
C
6. COLLECTOR  
Base current  
I
B
JEDEC  
―
―
Q2 (MOSFET) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEITA  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
TOSHIBA  
2-2N1F  
V
20  
10  
50  
V
V
DS  
Weight: 3mg (typ.)  
Gate-source voltage  
Drain current  
V
GSS  
I
mA  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Power dissipation  
Symbol  
Rating  
Unit  
P (Note 1)  
100  
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note 1: Total rating  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-11-16  
1234567

中文翻译

下载PDF

与HN7G10FE-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN7G10FE-B TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2J1A, ES6, 6 PIN, FET Gener
HN8050 SEMTECH

获取价格

 		NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications
HN8050C SEMTECH

获取价格

 		NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications
HN8050D SEMTECH

获取价格

 		NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications
HN809 HN

获取价格

 		(低电平)复位逻辑输出。在电源上电、掉电以及监控系统电源电压的变化，产生可靠的电源复位信号
HN809 810 HN

获取价格

 		(低电平)复位逻辑输出。在电源上电、掉电以及监控系统电源电压的变化，产生可靠的电源复位信号
HN8097BH ETC

获取价格

 		Microcontroller
HN809-810 HN

获取价格

 		(低电平)复位逻辑输出。在电源上电、掉电以及监控系统电源电压的变化，产生可靠的电源复位信号
HN810 HN

获取价格

 		(低电平)复位逻辑输出。在电源上电、掉电以及监控系统电源电压的变化，产生可靠的电源复位信号
HN8-32-01 RICHCO

获取价格

 		HEX NUT

与HN7G10FE-A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证