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HN7G06FU-A

更新时间： 2024-09-13 19:16:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 236K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, US6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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HN7G06FU-A 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

HN7G06FU-A 数据手册

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HN7G06FU  
TOSHIBA Multichip Discrete Device  
HN7G06FU  
• Power Management Switch Applications, Inverter  
Circuit Applications, Driver Circuit Applications and  
Interface Circuit Applications  
Unit: mm  
•
Combining transistor and BRT reduces the parts count, enabling the  
design of more compact equipment with a simpler system configuration.  
Q1: 2SA1955F equivalent  
Q2: RN1104F equivalent  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−15  
−12  
−5  
V
V
1.EMITTER1  
2.BASE1  
3.COLLECTOR2  
4.EMITTER2  
5.BASE2  
(E1)  
(B1)  
(C2)  
(E2)  
(B2)  
(C1)  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−500  
−50  
mA  
mA  
C
6.COLLECTOR1  
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-2J1A  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight: 0.0068 g (typ.)  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
10  
V
I
100  
mA  
C
Marking  
Type Name  
hFE Rank  
Q1, Q2 Common Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
P *  
Rating  
Unit  
7 4 A  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
200  
150  
mW  
°C  
C
T
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating  
Equivalent  
Circuit  
6
5
4
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating  
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Q2  
Q1  
*: Total rating. 130 mW per element should not be exceeded.  
1
2
3
1
2007-11-01  
123456

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与HN7G06FU-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN7G06FU-B TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, US6,
HN7G07FU TOSHIBA

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 		Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applic
HN7G07FUA TOSHIBA

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 		HN7G07FUA
HN7G07FU-A TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A,
HN7G07FUB TOSHIBA

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 		HN7G07FUB
HN7G07FU-B TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A,
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 		General-Purpose Amplifier Applications
HN7G08FE-A TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ES6, 2-2J1E,
HN7G09FE TOSHIBA

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 		Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applic
HN7G09FE(TE85LF) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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