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HN58C256AT-10E

更新时间： 2024-02-01 13:54:43

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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描述
32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28

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HN58C256AT-10E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58C256AT-10E 数据手册

HN58C256A Series, HN58C257A Series

Write Cycle

Parameter

Symbol Min*³Typ

Max

Unit Test conditions

Address setup time

t_AS

µs

Address hold time

t_AH

CE to write setup time (WE controlled)

CE hold time (WE controlled)

WE to write setup time (CE controlled)

WE hold time (CE controlled)

OE to write setup time

OE hold time

t_CS

t_CH

t_WS

t_WH

t_OES

t_OEH

t_DS

Data setup time

Data hold time

t_DH

t_WP

t_CW

t_DL

WE pulse width (WE controlled)

CE pulse width (CE controlled)

Data latch time

100

0.2

100

Byte load cycle

t_BLC

t_BL

t_WC

t_DB

t_DW

t_RP

Byte load window

—

10*⁴

Write cycle time

Time to device busy

120

0*⁵

100

Write start time

Reset protect time*²

Reset high time*^{2, 6}

t_RES

Notes: 1. t_DFand t_DFRare defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are

no longer driven.

2. This function is supported by only the HN58C257A series.

3. Use this device in longer cycle than this value.

4. t_WCmust be longer than this value unless polling techniques or RDY/Busy (only the HN58C257A

series) are used. This device automatically completes the internal write operation within this value.

5. Next read or write operation can be initiated after t_DWif polling techniques or RDY/Busy (only the

HN58C257A series) are used.

6. This parameter is sampled and not 100% tested.

7. A6 through A14 are page address and these addresses are latched at the first falling edge of WE.

8. A6 through A14 are page address and these addresses are latched at the first falling edge of CE.

9. See AC read characteristics.

Rev.5.00, Nov. 17.2003, page 7 of 23

1...4 5 678 9 10...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN58C256AT-85	HITACHI	256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)	获取价格
HN58C256AT-85	RENESAS	32K X 8 EEPROM 5V, 85 ns, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	获取价格
HN58C256AT-85E	RENESAS	32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28	获取价格
HN58C256ATI-10	ETC	x8 EEPROM	获取价格
HN58C256ATI10E	RENESAS	HN58C256ATI10E	获取价格
HN58C256ATI-85	ETC	x8 EEPROM	获取价格

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