是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
其他特性: | 100K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; SOFTWARE DATA PROTECTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 8 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HN58C256AT-85E | RENESAS |
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32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28 | |
HN58C256ATI-10 | ETC |
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x8 EEPROM | |
HN58C256ATI10E | RENESAS |
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HN58C256ATI10E | |
HN58C256ATI-85 | ETC |
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x8 EEPROM | |
HN58C256FP-15 | ETC |
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x8 EEPROM | |
HN58C256FP-20 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
HN58C256P-15 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
HN58C256P-20 | ETC |
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x8 EEPROM | |
HN58C256SERIES | ETC |
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x8 EEPROM | |
HN58C257A | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |