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HN58C257R-20

更新时间： 2024-02-29 11:26:48

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14页	558K
描述
x8 EEPROM

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HN58C257R-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1-R,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.27
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE; BYTE PROGRAMMABLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	12.4 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58C257SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C257T-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C65	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25T	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28
HN58C65FPI-25T	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28
HN58C65FPT-25	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28
HN58C65P-20	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28
HN58C65P-25	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65P-30	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28