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HN58C65P-25

更新时间： 2024-01-05 12:56:00

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日立 - HITACHI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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16页	151K
描述
8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM

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HN58C65P-25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 32 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.6 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	32 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	5.7 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

HN58C65P-25 数据手册

HN58C65 Series

8192-word × 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS

ROM

ADE-203-374A (Z)

Rev. 1.0

Apr. 12, 1995

Description

The Hitachi HN58C65 is a electrically erasable and programmable ROM organized as 8192-word × 8-bit. It

realizes high speed, low power consumption, and a high level of reliability, employing advanced MNOS

memory technology and CMOS process and circuitry technology. It also has a 32-byte page programming

function to make its erase and write operations faster.

Features

•

Single 5 V Supply

On chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms max

Automatic page write (32 byte): 10 ms max

Fast access time: 250 ns max

Low power dissipation: 20 mW/MHz typ (Active)

2.0 mW typ (Standby)

•

Data polling and Ready/Busy

Data protection circuity on power on/power off

Conforms to JEDEC byte-wide standard

Reliable CMOS with MNOS cell technology

10⁵erase/write cycles (in page mode)

10 year data retention

Ordering Information

Type No.

Access Time

250 ns

Package

HN58C65P-25

HN58C65FP-25

600 mil 28 pin plastic DIP (DP-28)

28 pin plastic SOP^*1(FP-28D/DA)

250 ns

Note: 1. T is added to the end of the type no. for a SOP of 3.0 mm (max) thickness.

12 3 4 5 6 7...16

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与HN58C65P-25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58C65P-30	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28
HN58C65SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C66FP-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C66FP-25T	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28
HN58C66FP-25T	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28
HN58C66P-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C66SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C66T-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58S256A	HITACHI	获取价格	256 k EEPROM (32-kword x 8-bit)
HN58S256A1SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM

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