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HN58S256ATI-20

更新时间： 2024-02-06 09:18:09

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
19页	321K
描述
x8 EEPROM

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HN58S256ATI-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58S65A	HITACHI	获取价格	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function
HN58S65AISERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58S65ASERIES	ETC	获取价格
HN58S65AT-15	HITACHI	获取价格	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function
HN58S65ATI-15	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58V1001	HITACHI	获取价格	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function
HN58V1001	RENESAS	获取价格	1M EEPROM (128-kword × 8-bit) Ready/Busy and
HN58V1001FP-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58V1001FP-25	HITACHI	获取价格	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function
HN58V1001FP-25	RENESAS	获取价格	1M EEPROM (128-kword Ã 8-bit) Ready/Busy and