5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 200 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.45 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.05 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN58V1001FP-25 | HITACHI |
获取价格 |
1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function |
|
| HN58V1001FP-25 | RENESAS |
获取价格 |
1M EEPROM (128-kword à 8-bit) Ready/Busy and |
|
| HN58V1001FP-25E | RENESAS |
获取价格 |
1M EEPROM (128-kword à 8-bit) Ready/Busy and |
|
| HN58V1001P-20 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| HN58V1001P-25 | HITACHI |
获取价格 |
1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function |
|
| HN58V1001R-20 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| HN58V1001R-25 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| HN58V1001SERIES | ETC |
获取价格 |
|
|
| HN58V1001T-20 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| HN58V1001T-25 | HITACHI |
获取价格 |
1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
