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HN58V1001FP-25

更新时间： 2024-02-16 11:20:39
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日立 - HITACHI 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 119K
描述
1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function

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HN58V1001FP-25 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP32,.56针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.6
最长访问时间：250 ns其他特性：10000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 128 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10JESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.45 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：3 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：11.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：15 msBase Number Matches：1

HN58V1001FP-25 数据手册

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HN58V1001 Series  
1M EEPROM (128-kword × 8-bit)  
Ready/Busy and RES function  
ADE-203-314G (Z)  
Rev. 7.0  
Oct. 31, 1997  
Description  
The Hitachi HN58V1001 is a electrically erasable and programmable ROM organized as 131072-word × 8-  
bit. It has realized high speed, low power consumption and high reliability by employing advanced MNOS  
memory technology and CMOS process and circuitry technology. It also has a 128-byte page programming  
function to make the write operations faster.  
Features  
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Single 3 V supply: 2.7 V to 5.5 V  
Access time: 250 ns (max)  
Power dissipation  
Active: 20 mW/MHz, (typ)  
Standby: 110 µW (max)  
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On-chip latches: address, data, CE, OE, WE  
Automatic byte write: 15 ms (max)  
Automatic page write (128 bytes): 15 ms (max)  
Data polling and RDY/Busy  
Data protection circuit on power on/off  
Conforms to JEDEC byte-wide standard  
Reliable CMOS with MNOS cell technology  
104 erase/write cycles (in page mode)  
10 years data retention  
Software data protection  
Write protection by RES pin  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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