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HN58C257T-20

更新时间： 2024-02-20 06:25:19

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16页	253K
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x8 EEPROM

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HN58C257T-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, TSOP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.32
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	100K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58C65	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25T	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28
HN58C65FPI-25T	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28
HN58C65FPT-25	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28
HN58C65P-20	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28
HN58C65P-25	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65P-30	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28
HN58C65SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C66FP-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM