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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, FL28,.4 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.55 | 最长访问时间： | 250 ns |
| 其他特性： | 10 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | FL28,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 页面大小： | 32 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 3 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 宽度： | 8.4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HN58C65FPI-25T | RENESAS | 8KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28 |
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| HN58C65FPT-25 | HITACHI | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28 |
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| HN58C65P-20 | HITACHI | EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28 |
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| HN58C65P-25 | HITACHI | 8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM |
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| HN58C65P-30 | HITACHI | EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28 |
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| HN58C65SERIES | ETC | x8 EEPROM |
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