是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 100 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 12.4 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 8 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HN58C257AT-10E | RENESAS | 32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32 |
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HN58C257AT-85 | HITACHI | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) |
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HN58C257AT-85 | RENESAS | 32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
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HN58C257R-20 | ETC | x8 EEPROM |
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HN58C257SERIES | ETC | x8 EEPROM |
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HN58C257T-20 | ETC | x8 EEPROM |
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