是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.56,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 85 ns |
其他特性: | 100K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; SOFTWARE DATA PROTECTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 12.4 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 8 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HN58C257R-20 | ETC | x8 EEPROM |
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HN58C257SERIES | ETC | x8 EEPROM |
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HN58C257T-20 | ETC | x8 EEPROM |
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HN58C65 | HITACHI | 8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM |
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HN58C65FP-25 | HITACHI | 8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM |
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HN58C65FP-25T | HITACHI | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28 |
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