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HN58C257AT-10

更新时间： 2024-02-24 16:53:59

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日立 - HITACHI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)

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HN58C257AT-10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	12.4 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.56,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58C257AT-10 数据手册

HN58C256A Series

HN58C257A Series

256k EEPROM (32-kword × 8-bit)

Ready/Busy and RES function (HN58C257A)

ADE-203-410D (Z)

Rev. 4.0

Oct. 24, 1997

Description

The Hitachi HN58C256A and HN58C257A are electrically erasable and programmable ROMs organized as

32768-word × 8-bit. They have realized high speed low power consumption and high reliability by

employing advanced MNOS memory technology and CMOS process and circuitry technology. They also

have a 64-byte page programming function to make their write operations faster.

Features

•

Single 5 V supply: 5 V ±10%

Access time: 85 ns/100 ns (max)

Power dissipation

Active: 20 mW/MHz, (typ)

Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms max

Automatic page write (64 bytes): 10 ms max

Ready/Busy (only the HN58C257A series)

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Conforms to JEDEC byte-wide standard

Reliable CMOS with MNOS cell technology

10⁵erase/write cycles (in page mode)

10 years data retention

Software data protection

Write protection by RES pin (only the HN58C257A series)

Industrial versions (Temperatur range: – 20 to 85˚C and – 40 to 85˚C) are also available.

12 3 4 5 6 7...25

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与HN58C257AT-10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58C257AT-10E	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
HN58C257AT-85	HITACHI	获取价格	256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)
HN58C257AT-85	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32
HN58C257R-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C257SERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C257T-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58C65	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25	HITACHI	获取价格	8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25T	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28
HN58C65FPI-25T	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28

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