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HN1A01FUTE85N

更新时间： 2024-11-16 19:19:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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HN1A01FUTE85N 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：0.15 A
基于收集器的最大容量：7 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

HN1A01FUTE85N 数据手册

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HN1A01FU  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
HN1A01FU  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
l Small package (Dual type)  
l High voltage and high current  
: VCEO =−50V, IC =−150mA (max)  
l High hFE: hFE = 120~400  
l Excellent hFE linearity  
: hFE (IC =−0.1mA) / hFE (IC =−2mA) = 0.95 (typ.)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
−5  
V
I
C
I
B
−150  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Base current  
JEDEC  
EIAJ  
―
―
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
200  
C
TOSHIBA  
Weight: 6.8mg  
2-2J1A  
T
125  
j
T
−55~125  
stg  
*
Total rating  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= −50V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
I
I
V
V
V
―
―
―
―
―
−0.1  
−0.1  
400  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= −5V, I = 0  
C
EBO  
h
―
= −6V, I = −2mA  
120  
FE (Note)  
C
Collector-emitter  
saturation voltage  
V
―
I
= −100mA, I = −10mA  
―
−0.1  
−0.3  
V
CE (sat)  
C
B
Transition frequency  
f
―
―
V
V
= −10V, I = −1mA  
80  
―
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= −10V, I = 0, f = 1MHz  
―
4
7
ob  
E
Note:  
h
Classification  
FE  
Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400  
) Marking Symbol  
(
1
2001-06-07  
1234

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与HN1A01FUTE85N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN1A01FUTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1A01FUY ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
HN1A01FU-Y TOSHIBA

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 		Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
HN1A01FU-Y KEXIN

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 		PNP Transistors
HN1A01FU-Y(5LNOA,F TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
HN1A01FU-Y(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, 6 PIN, BIP G
HN1A01FU-Y,LF(T TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
HN1A01FUYTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1A01FUYTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1A01FY ETC

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