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HN1A01FU-Y

更新时间： 2024-02-09 23:55:45

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科信 - KEXIN		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	849K
描述
PNP Transistors

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技术参数
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HN1A01FU-Y 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

HN1A01FU-Y 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Transistors

HN1A01FU (KN1A01FU )

■ Features

● High voltage and high current

● High h^FE: hFE = 120~400

● Excellent hFE linearity

Small package (Dual type)

●

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

-50

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-50

-5

Collector Current - Continuous

Base current

-150

-30

℃

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

200

125

Storage Temperature range

stg

-55 to 125

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= -100 μA， I

Ic= -1 mA， I =0

= -100μA， I

E=0

C=0

CBO

EBO

^CB= -50 V , I

EB= -5V , I

-100

-0.3

-1.2

400

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

CE(sat)

BE(sat)

=-100 mA, I

=-10mA

=-100 mA, I

hFE

^CE= -6V, I

= -2mA

= 0,f=1MHz

= -1mA

120

Collector output capacitance

Transition frequency

CB= -10V, I

CE= -10V, I

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

HN1A01FU-Y

120-240

D1Y

HN1A01FU-G

200-400

D1G

www.kexin.com.cn

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与HN1A01FU-Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN1A01FU-Y(5LNOA,F	TOSHIBA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon	获取价格
HN1A01FU-Y(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, 6 PIN, BIP G	获取价格
HN1A01FU-Y,LF(T	TOSHIBA	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格
HN1A01FUYTE85L	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose	获取价格
HN1A01FUYTE85R	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose	获取价格
HN1A01FY	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TSOP	获取价格