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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.39 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.3 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HN1B01F_07 | TOSHIBA | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applica |
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| HN1B01FDW1T1 | ONSEMI | Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount |
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| HN1B01FDW1T1/D | ETC | Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor |
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| HN1B01FDW1T1G | ONSEMI | Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount |
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| HN1B01FGR | ETC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
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| HN1B01F-GR | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3N1A, SM6, |
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