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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1B01F_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applica |
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| HN1B01FDW1T1 | ONSEMI |
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Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount |
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| HN1B01FDW1T1/D | ETC |
获取价格 |
Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor |
|
| HN1B01FDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount |
|
| HN1B01FGR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
|
| HN1B01F-GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3N1A, SM6, |
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| HN1B01F-GR(T5LMATF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| HN1B01FGRTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FGRTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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