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HN1B01FTE85R

更新时间： 2024-11-16 14:51:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	362K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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HN1B01FTE85R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	功耗环境最大值：	0.3 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

HN1B01FTE85R 数据手册

HN1B01F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1B01F

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Q1:

High voltage and high current

: V_CEO= −50 V, I_C= −150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120~400

Excellent h_FElinearity

: h_FE(I_C= −0.1 mA) / h_FE(I_C= −2 mA) = 0.95 (typ.)

Q2:

High voltage and high current

: V_CEO= 50 V, I_C= 150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120~400

Excellent hFE linearity

: h_FE(I_C= 0.1 mA) / h_FE(I_C= 2 mA) = 0.95 (typ.)

―

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

2-3N1A

Weight: 0.015 g (typ.)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Marking

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−50

−5

CBO

CEO

EBO

−150

−50

Base current

2007-11-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN1B01FU	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)
HN1B01FU_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applica
HN1B01FUGR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TSOP
HN1B01FU-GR	TOSHIBA	获取价格	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
HN1B01FUGRTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUGRTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A,
HN1B01FUTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUY	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TSOP

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