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HN1B01F-Y(T5LMAA,F

更新时间： 2024-11-13 05:48:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	369K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

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HN1B01F-Y(T5LMAA,F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
功耗环境最大值：	0.3 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

HN1B01F-Y(T5LMAA,F 数据手册

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HN1B01F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1B01F

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Q1:

High voltage and high current

: V_CEO= −50 V, I_C= −150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120 to 400

Excellent h_FElinearity

: h_FE(I_C= −0.1 mA) / h_FE(I_C= −2 mA) = 0.95 (typ.)

Q2:

High voltage and high current

: V_CEO= 50 V, I_C= 150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120 to 400

Excellent hFE linearity

: h_FE(I_C= 0.1 mA) / h_FE(I_C= 2 mA) = 0.95 (typ.)

―

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

2-3N1A

Weight: 0.015 g (typ.)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Marking

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−50

−5

CBO

CEO

EBO

−150

−50

Base current

Start of commercial production

1989-02

2014-03-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN1B01F-Y(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
HN1B01FYTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FYTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FYTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B04F	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applica
HN1B04F(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)CEO,500MA I(C),TSOP
HN1B04F_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applica
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HN1B04FE-GR	TOSHIBA	获取价格	暂无描述