HN1B04FU-Y

更新时间： 2024-11-12 12:36:03

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN1B04FU-Y 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

HN1B04FU-Y 数据手册

HN1B04F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1B04F

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Driver Stage Amplifier Applications

Switching application

Q1:

Excellent h_FElinearity

: h_FE(2)= 25 (min) at V_CE= −6V, I_C= −400mA

Q2:

Excellent h_FElinearity

: h_FE(2)= 25 (min) at V_CE= 6V, I_C= 400mA

1.EMITTER1

2.BASE1

(E1)

(B1)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

3.COLLECTOR2 (C2)

4.EMITTER2

5.BASE2

(E2)

(B2)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

6.COLLECTOR1 (C1)

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−35

−30

−5

CBO

CEO

EBO

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-3N1A

−500

Weight: 0.015g (typ.)

Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

500

Q1,Q2 Common Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

P *

Rating

Unit

Collector power dissipation

Junction temperature

300

150

°C

Storage temperature range

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Total rating. 200mW per element must be exceeded.

2007-11-22

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