HN1B01FU-GR

更新时间： 2024-11-16 12:05:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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描述
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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HN1B01FU-GR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

HN1B01FU-GR 数据手册

HN1B01F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1B01F

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Q1:

High voltage and high current

: V_CEO= −50 V, I_C= −150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120~400

Excellent h_FElinearity

: h_FE(I_C= −0.1 mA) / h_FE(I_C= −2 mA) = 0.95 (typ.)

Q2:

High voltage and high current

: V_CEO= 50 V, I_C= 150 mA (max)

High h_FE: h_FE= 120~400

Excellent hFE linearity

: h_FE(I_C= 0.1 mA) / h_FE(I_C= 2 mA) = 0.95 (typ.)

―

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

2-3N1A

Weight: 0.015 g (typ.)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Marking

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−50

−5

CBO

CEO

EBO

−150

−50

Base current

2007-11-01

12 3 4 5 6

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与HN1B01FU-GR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN1B01FUGRTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUGRTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A,
HN1B01FUTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUY	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TSOP
HN1B01FU-Y	TOSHIBA	获取价格	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
HN1B01FU-Y(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A,
HN1B01FUYTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
HN1B01FUYTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General

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