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HGTG10N120BND_NL

更新时间： 2024-01-05 00:04:49

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		栅
页数	文件大小	规格书
8页	108K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG10N120BND_NL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	最大集电极电流 (IC)：	35 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	200 ns	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	298 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	15 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	330 ns	标称接通时间 (ton)：	32 ns
Base Number Matches：	1

HGTG10N120BND_NL 数据手册

HGTG10N120BND

Data Sheet

December 2001

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Features

• 35A, 1200V, T = 25 C

The HGTG10N120BND is a Non-Punch Through (NPT)

IGBT design. This is a new member of the MOS gated high

voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best

features of MOSFETs and bipolar transistors. This device

has the high input impedance of a MOSFET and the low on-

state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT used

is the development type TA49290. The Diode used is the

development type TA49189.

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

Formerly Developmental Type TA49302.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

10N120BND

HGTG10N120BND

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG10N120BND Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG11N120CN	FAIRCHILD	获取价格	43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG11N120CN	INTERSIL	获取价格	43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG11N120CN	RENESAS	获取价格	43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG11N120CND	ONSEMI	获取价格	1200 V NPT IGBT
HGTG11N120CND	FAIRCHILD	获取价格	43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG11N120CND	INTERSIL	获取价格	43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG11N120CND_NL	ROCHESTER	获取价格	43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG11N120CND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG12N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
HGTG12N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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