H5N3007CF

更新时间： 2024-02-23 13:52:02

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
4页	80K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H5N3007CF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220CFM, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N3007CF 数据手册

H5N3007CF

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0473-0100

Rev.1.00

Nov.11.2004

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High Speed Switching

Built-in fast recovery diode

Outline

TO-220CFM

1. Gate

2. Drain

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

300

±30

Drain current

Note 1

Drain peak current

I_D(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

I_DR

Note 1

I_DR(pulse)

Note 3

I_AP

Note 2

Channel dissipation

Pch

Channel to case Thermal Impedance

Channel temperature

θch-c

3.57

°C/W

°C

Tch

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. Tch ≤ 150°C

Rev.1.00, Nov.11.2004, page 1 of 3

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与H5N3007CF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5N3007FL-M0	RENESAS	获取价格	300V - 15A - MOS FET High Speed Power Switching
H5N3007FL-M0-E#T2	RENESAS	获取价格	POWER, FET
H5N3007FL-M0-ET2	RENESAS	获取价格	300V - 15A - MOS FET High Speed Power Switching
H5N3007FN	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N3007FN-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N3008P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N3008P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N3011P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N3011P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N5001FM	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching