H5N5005PL

更新时间： 2024-09-09 07:02:35

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网快速恢复二极管
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5005PL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PL
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.36
其他特性：	BUILT IN FAST RECOVERY DIODE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

H5N5005PL 数据手册

H5N5005PL

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0419-0300

Rev.3.00

May 25, 2006

Features

•

Low on-resistance: R_DS(on)= 0.070 Ω typ.

Low leakage current: I_DSS= 10 µA max (at V_DS= 500 V)

High speed switching: t_f= 300 ns typ (at V_GS= 10 V, I_D= 30 A, R_L= 8.33 Ω)

Low gate charge: Qg = 300 nC typ (at V_DD= 400 V, V_GS= 10 V, I_D= 60 A)

Avalanche ratings

Built-in fast recovery diode: t_rr= 220 ns typ

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A

(Package name: TO-3PL)

1. Gate

2. Drain (Flange)

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Drain peak current

Body-Drain diode reverse Drain current

Body-Drain diode reverse Drain peak current

Avalanche current

Channel dissipation

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

Symbol

Ratings

500

±30

240

270

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Note1

I_{D (pulse)}

I_DR

Note1

I_{DR (pulse)}

Note3

I_AP

Pch ^Note2

θch-c

Tch

0.463

150

–55 to +150

°C/W

°C

Storage temperature

Tstg

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.3.00, May 25, 2006 page 1 of 6

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