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H5N5006FM

更新时间： 2024-09-09 07:02:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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7页 86K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5006FM 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220FM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.16
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

H5N5006FM 数据手册

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H5N5006FM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1114-0200  
(Previous: ADE-208-1112)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance: R DS (on) = 2.5 Ω typ.  
Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)  
High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 1.5 A)  
Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)  
Avalanche ratings  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A  
(Package name: TO-220FM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  
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