H5N5012P-E

更新时间： 2024-09-09 07:02:35

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5012P-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.225 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N5012P-E 数据手册

H5N5012P

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0378-0200Z

Rev.2.00

Jun.17.2004

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High speed switching

Built-in fast recovery diode

Outline

TO-3P

1. Gate

2. Drain (Flange)

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

500

±30

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

100

Body-Drain diode reverse Drain current

Avalanche current

I_DR

Note3

I_AP

Channel dissipation

Pch ^Note2

θch-c

Tch

150

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

0.833

150

°C/W

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.2.00, Jun.17.2004, page 1 of 3

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