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H5PS1G63EFR-S5I

更新时间: 2024-09-15 10:20:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 1172K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84

H5PS1G63EFR-S5I 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
针数:84Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.81访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):400 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B84
长度:13 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:84字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:95 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA84,9X15,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.29 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

H5PS1G63EFR-S5I 数据手册

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H5PS1G63EFR-xxI  
H5PS1G63EFR-xxL  
H5PS1G63EFR-xxJ  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.3 / Nov. 2012  
1

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