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H5PS1G63EFR-Y5L

更新时间： 2024-09-14 07:02:35

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H5PS1G63EFR-Y5L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	13 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

H5PS1G63EFR Series

1Gb DDR2 SDRAM

H5PS1G63EFR-xxC

H5PS1G63EFR-xxI

H5PS1G63EFR-xxL

H5PS1G63EFR-xxJ

[New Product]

H5PS1G63EFR-xxP

H5PS1G63EFR-xxQ

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.1 / July 2009

12 3 4 5 6 7...63

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5PS1G63EFR-Y5P	HYNIX	获取价格	暂无描述
H5PS1G63JFR	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRC4C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRC4I	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRC4J	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRC4L	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRE3C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRE3I	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFRE3J	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G63JFR-E3J	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84