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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| H5N6001P-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5N6001P_05 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N6001P-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5P | BOTHHAND |
获取价格 |
10/100 BASE-T FIVE PORT MAGNETICS |
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| H5P0301SM | ETC |
获取价格 |
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| H5PLF | BOTHHAND |
获取价格 |
10/100 BASE-T FIVE PORT MAGNETICS |
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| H5PN | BOTHHAND |
获取价格 |
FIVE PORT 10/100 BASE-TX MAGNETICS |
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| H5PNLF | BOTHHAND |
获取价格 |
FIVE PORT 10/100 BASE-TX MAGNETICS |
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| H5PNX | BOTHHAND |
获取价格 |
FIVE PORT 10/100 BASE-TX MAGNETICS |
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| H5PS1G43EFR | HYNIX |
获取价格 |
1Gb DDR2 SDRAM |
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| H5PS1G63EFR | HYNIX |
获取价格 |
1Gb(64Mx16) DDR2 SDRAM |
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