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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N5006LD-E
H5N5006LD-E PDF预览

H5N5006LD-E

更新时间： 2024-09-09 07:02:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5006LD-E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

H5N5006LD-E 数据手册

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H5N5006LD, H5N5006LS, H5N5006LM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1115-0100  
(Previous: ADE-208-1549)  
Rev.1.00  
Apr 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Low leakage current  
High speed switching  
Low gate charge  
Avalanche ratings  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (L) )  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
H5N5006LD  
H5N5006LS  
D
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C  
(Package name: LDPAK (S)-(2) )  
4
G
1
2
3
S
H5N5006LM  
Rev.1.00 Apr 07, 2006 page 1 of 7  
12345678

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