Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N5006DSTL-E

H5N5006DSTL-E

更新时间： 2024-09-09 07:02:35

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	93K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5006DSTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

H5N5006DSTL-E 数据手册

H5N5006DL, H5N5006DS

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0397-0100

Rev.1.00

May 30, 2006

Features

•

Low on-resistance: R_DS(on)= 2.5 Ω typ.

Low leakage current: I_DSS= 1 µA max. (at V_DS= 500 V)

High speed switching: t_f= 15 ns typ. (at V_GS= 10 V, V_DD250 V, I_D= 1.5 A)

Low gate charge: Qg = 14 nC typ. (at V_DD= 400 V, V_GS= 10 V, I_D= 3 A)

Avalanche ratings

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B

(Package name: DPAK (L)-(2) )

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK (S) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

500

Gate to source voltage

±30

Drain current

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

Note1

I_{DR (pulse)}

Note3

I_AP

Channel dissipation

Pch ^Note2

θch-c

Tch

°C/W

°C

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

4.17

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.1.00, May 30, 2006, page 1 of 7

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