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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N5001FM
H5N5001FM PDF预览

H5N5001FM

更新时间： 2024-01-21 15:34:44
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 63K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5001FM 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220FM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.37
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

H5N5001FM 数据手册

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H5N5001FM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-1380 (Z)  
1st. Edition  
Mar. 2001  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
: RDS(on) =1.1Ω typ.  
Low leakage current : IDSS =1µA max (at VDS = 500 V)  
High speed switching : tf = 15ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A)  
Low gate charge  
Avalanche ratings  
: Qg = 15nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)  
Outline  
TO–220FM  
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
1
2
3
S
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
H5N5001FM_05 RENESAS

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