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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N5004PL-E
H5N5004PL-E PDF预览

H5N5004PL-E

更新时间： 2024-01-23 18:34:27
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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4页 55K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5004PL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PL
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.45
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

H5N5004PL-E 数据手册

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H5N5004PL  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1113-0200  
(Previous: ADE-208-1381)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Features  
•
•
•
•
•
•
Low on-resistance: R DS (on) = 0.09 Ω typ.  
Low leakage current: IDSS = 10 µA max (at VDS = 500 V)  
High speed switching: tf = 280 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 25 A)  
Low gate charge: Qg = 220 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 50 A)  
Avalanche ratings  
Built-in fast recovery diode: trr = 190 ns typ  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A  
(Package name: TO-3PL)  
D
1. Gate  
2. Drain (Flange)  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 3  
1234

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