H5N3007FN-E

更新时间： 2024-01-25 04:06:42

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N3007FN-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N3007FN-E 数据手册

H5N3007FN

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1860-0100

Rev.1.00

Nov 09, 2009

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High speed switching

Built-in fast recovery diode

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003AB-A

(Package name: TO-220FN)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

300

±30

Gate to source voltage

Drain current

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

Note1

I_{DR (pulse)}

Note3

I_AP

Note3

Avalanche energy

E_AR

13.5

3.57

°C/W

°C

Channel to case thermal impedance

Channel dissipation

θch-c

Pch ^Note2

Tch

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

REJ03G1860-0100 Rev.1.00 Nov 09, 2009

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