5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA90,9X15,32 | 针数： | 90 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 90 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 8MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5MS2532JFR-J3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS2532JFR-L3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS2562JFR-E3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2562JFR-J3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2562JFR-K3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2562JFR-L3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2622JFR | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (8Mx32bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2622JFR-K3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS2622JFR-L3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS5122DFR | HYNIX |
获取价格 |
Mobile DDR SDRAM 512Mbit (16M x 32bit) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
