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H5MS5162DFR-E3M

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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H5MS5162DFR-E3M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

512Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x16 I/O

Specification of

512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 8,388,608 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.3 / Apr. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS5162DFR-J3M	HYNIX	获取价格	512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS5162DFR-K3M	HYNIX	获取价格	512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS5162DFR-L3M	HYNIX	获取价格	512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS5162EFR	HYNIX	获取价格	536,870,912-bit CMOS Low Power Double Data Rate Synchronous DRAM (Mobile DDR SDRAM)
H5N0301SM	ETC	获取价格
H5N1503P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1503P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1506P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1506P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2001LD	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching