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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA90,9X15,32 | 针数： | 90 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 组织： | 8MX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.095 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5MS2562JFR-E3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
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| H5MS2562JFR-J3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2562JFR-K3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2562JFR-L3M | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
|
| H5MS2622JFR | HYNIX |
获取价格 |
256Mb (8Mx32bit) Mobile DDR SDRAM |
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| H5MS2622JFR-K3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS2622JFR-L3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB |
|
| H5MS5122DFR | HYNIX |
获取价格 |
Mobile DDR SDRAM 512Mbit (16M x 32bit) |
|
| H5MS5122DFR-E3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN AND LE |
|
| H5MS5122DFR-J3M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN AND LE |
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